S8201
Транзистор

Описание
Transistor, silicon VDMOS FET, 28 V, F= 1000 MHz, Gn= 10 dB, PAE= 45%, OP= 4 W, Pdiss= 20 W, SM pkg SO8
Техническое описание
Страница производителя


![]() |
Телефоны: (495) 957-7745, 361-0904
Электронная почта: sales@radiocomp.ru |
|||||||||||||||||||||||||
Обзорная информация Линейка продукции Информационное письмо Карта сайта: HTML XML
|
S8201
Транзистор
![]()
Описание
Transistor, silicon VDMOS FET, 28 V, F= 1000 MHz, Gn= 10 dB, PAE= 45%, OP= 4 W, Pdiss= 20 W, SM pkg SO8
![]() ![]() |
|||||||||||||||||||||||||
|
|